近期，Magnachip Semiconductor 发布了采用 180nm 微加工技术增强的第六代 600V 超级结 MOSFET，实现175mΩ的低RDS(on)，满足服务器和OLED电视的技术要求。

　　据称，该技术对上一代 SJ MOSFET 进行了改进，将单元间距缩小了 50%，并将 RDS(on) 降低了 42%。因此，该产品采用相同的十瓦封装 (DPAK)，同时提供 175mΩ 的低 RDS(on) 和更高的功率密度。

　　与上一代产品相比，总栅极电荷降低了约 29%，从而降低了开关损耗并提高了功率效率。此外，在栅极和源极之间嵌入了齐纳二极管，以增强 MOSFET 在应用中的耐用性和可靠性，并防止其受到外部浪涌或静电放电造成的损坏。

　　Magnachip表示，新型600V SJ MOSFET可用于广泛的应用，例如服务器、OLED电视和笔记本电脑快速充电器。

　　据了解该公司计划在2024年推出更多的第六代SJ MOSFET，包括那些带有快速恢复二极管的型号。

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